Оперативная память Lenovo 8GB PC3-12800E 1600MHz DDR3 ECC-UDIMM, 03T7807
Объем модуля 8GB
Тип памяти DDR3 UDIMM
Ранги 2Rx8
Скорость PC3-12800E
Поддержка ECC Да
Латентность CL11
Напряжение 1.5V..
Оперативная память Lenovo 8GB PC3-12800E 1600MHz DDR3 ECC-UDIMM, 03T7807
Объем модуля 8GB
Тип памяти DDR3 UDIMM
Ранги 2Rx8
Скорость PC3-12800E
Поддержка ECC Да
Латентность CL11
Напряжение 1.5V..
Оперативная память Micron 16GB MT36JSF2G72PZ-1G9E1HF
Объем модуля 16GB
Тип памяти DDR3 Registered
Частота работы 1866 Mhz
Ранги 2RX4
Латентность CL13
Напряжение питания 1.5V..
Оперативная память Micron 16GB MT36JSF2G72PZ-1G9E1HF
Объем модуля 16GB
Тип памяти DDR3 Registered
Частота работы 1866 Mhz
Ранги 2RX4
Латентность CL13
Напряжение питания 1.5V..
Оперативная память Micron DDR4 SDRAM 16GB 2133MT/s 288-UDIMM
Weight 0.1 lbs
Dimensions 5.125 x 0.039 x 1.181 in
Rank 2Rx8
Speed PC4-17000P-E
Cas Latency CL15
Made By MICRON
Height STD
Voltage 1.2V
Kit Qty 1x 16GB
Technology ..
Оперативная память Micron DDR4 SDRAM 16GB 2133MT/s 288-UDIMM
Weight 0.1 lbs
Dimensions 5.125 x 0.039 x 1.181 in
Rank 2Rx8
Speed PC4-17000P-E
Cas Latency CL15
Made By MICRON
Height STD
Voltage 1.2V
Kit Qty 1x 16GB
Technology ..
Оперативная память Micron 16GB MTA18ASF2G72PDZ-2G3B1
Объем модуля 16 GB
Тип памяти DDR4 Registered
Частота работы 2400 MHz
Латентность CL17
Напряжение питания 1.2 V..
Оперативная память Micron 16GB MTA18ASF2G72PDZ-2G3B1
Объем модуля 16 GB
Тип памяти DDR4 Registered
Частота работы 2400 MHz
Латентность CL17
Напряжение питания 1.2 V..
Оперативная память Micron 16GB MTA36ASF2G72PZ-2G1B1
Объем модуля 16GB
Тип памяти DDR4 Registered
Частота памяти 2133MHZ
Ранги Dual rank
Латентность CL15
Напряжение питания 1.2V..
Оперативная память Micron 16GB MTA36ASF2G72PZ-2G1B1
Объем модуля 16GB
Тип памяти DDR4 Registered
Частота памяти 2133MHZ
Ранги Dual rank
Латентность CL15
Напряжение питания 1.2V..
Оперативная память Micron 16GB MTA36ASF2G72PZ-2G1B1
Объем модуля 16GB
Тип памяти DDR4 Registered
Частота памяти 2133MHZ
Ранги Dual rank
Латентность CL15
Напряжение питания 1.2V..
Оперативная память Micron 16GB MTA36ASF2G72PZ-2G1B1
Объем модуля 16GB
Тип памяти DDR4 Registered
Частота памяти 2133MHZ
Ранги Dual rank
Латентность CL15
Напряжение питания 1.2V..
Оперативная память MICRON 8GB PC3L-12800R DDR3-1600 REG ECC MT18KSF1G72PZ-1G6E1HG
COMPONENT DENSITY 8GB
PRODUCT BUS TYPE PC3L-12800R
COMPONENT SPEED DDR3-1600
MODULE SIGNAL TYPE REGISTERED
ERROR CORRECTION CODE ( ECC ) YES
COMPONENT RANK 1RX4
CAS LA..
Оперативная память MICRON 8GB PC3L-12800R DDR3-1600 REG ECC MT18KSF1G72PZ-1G6E1HG
COMPONENT DENSITY 8GB
PRODUCT BUS TYPE PC3L-12800R
COMPONENT SPEED DDR3-1600
MODULE SIGNAL TYPE REGISTERED
ERROR CORRECTION CODE ( ECC ) YES
COMPONENT RANK 1RX4
CAS LA..
Оперативная память Micron 4GB MT18JSF51272AZ-1G4D1
Технические характеристики
MEMORY SIZE 4GB
MEMORY TECHNOLOGY DDR3 SDRAM
NUMBER OF MODULES 1 X 4GB
MEMORY SPEED 1333 MHZ
MEMORY STANDARD DDR3-1333/PC3-10600
SIGNAL PROCESSING UNBUFFERED
ERROR CHECKING..
Оперативная память Micron 4GB MT18JSF51272AZ-1G4D1
Технические характеристики
MEMORY SIZE 4GB
MEMORY TECHNOLOGY DDR3 SDRAM
NUMBER OF MODULES 1 X 4GB
MEMORY SPEED 1333 MHZ
MEMORY STANDARD DDR3-1333/PC3-10600
SIGNAL PROCESSING UNBUFFERED
ERROR CHECKING..