Технические характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Объем 1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) да
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Количество ..
Технические характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Объем 1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) да
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Количество ..
Технические характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Объем 1 модуль 8 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) да
Низкопрофильная (Low Profile) нет..
Технические характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Объем 1 модуль 8 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) да
Низкопрофильная (Low Profile) нет..
Модуль памяти Kingston Technology 32GB ECC Reg DDR4 2666MHZ
Объем модуля 32GB
Тип памяти DDR4 Registered
Частота памяти 2666Mhz
Латентность CL19
Напряжение питания 1.2v..
Модуль памяти Kingston Technology 32GB ECC Reg DDR4 2666MHZ
Объем модуля 32GB
Тип памяти DDR4 Registered
Частота памяти 2666Mhz
Латентность CL19
Напряжение питания 1.2v..
Оперативная память Kingston KTM-SX313LLVS/8G DDR3L 8GB (PC3-10600 ) 1333MHz ECC Reg Low Voltage
Емкость модуля 8 GB
Тип памяти DDR3 Registered
Частота работы 1333 MHz
Напряжение питания 1.35v
Форм фактор VLP..
Оперативная память Kingston KTM-SX313LLVS/8G DDR3L 8GB (PC3-10600 ) 1333MHz ECC Reg Low Voltage
Емкость модуля 8 GB
Тип памяти DDR3 Registered
Частота работы 1333 MHz
Напряжение питания 1.35v
Форм фактор VLP..
Технические характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Объем 1 модуль 16 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) да
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latenc..
Технические характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Объем 1 модуль 16 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) да
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latenc..
Оперативная память Kingston KVR1333D3LD4R9S/16G
Объем модуля 16 Гб
Тип памяти DDR3 RDIMM
Частота работы 1333 МГц
Тайминги 9-9-9
Напряжение питания 1.35 В (LV DDR3), 1.5 В (DDR3)..
Оперативная память Kingston KVR1333D3LD4R9S/16G
Объем модуля 16 Гб
Тип памяти DDR3 RDIMM
Частота работы 1333 МГц
Тайминги 9-9-9
Напряжение питания 1.35 В (LV DDR3), 1.5 В (DDR3)..
Оперативная память Kingston KVR13LE9/8
Объем модуля 8 Гб
Тип памяти DDR3 Unbuffered ECC
Частота работы 1333 МГц
Латентность CL9
Тайминги 9-9-9
Напряжение питания 1.35 В (LV DDR3), 1.5 В..
Оперативная память Kingston KVR13LE9/8
Объем модуля 8 Гб
Тип памяти DDR3 Unbuffered ECC
Частота работы 1333 МГц
Латентность CL9
Тайминги 9-9-9
Напряжение питания 1.35 В (LV DDR3), 1.5 В..
Технические характеристики
Тип памяти DDR3L
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Объем 1 модуль 32 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) да
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Laten..
Технические характеристики
Тип памяти DDR3L
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Объем 1 модуль 32 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) да
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Laten..
Оперативная память Kingston KVR16LE11L/8
Объем модуля 8 Гб
Тип памяти DDR3 Unbuffered с поддержкой ECC
Частота работы 1600 МГц
Ранги Dual rank
Тайминги 11-11-11
Форм фактор VLP (very low profile)
Напряжение питания 1.35 В (LV DDR3), 1.5 В (DDR3)..
Оперативная память Kingston KVR16LE11L/8
Объем модуля 8 Гб
Тип памяти DDR3 Unbuffered с поддержкой ECC
Частота работы 1600 МГц
Ранги Dual rank
Тайминги 11-11-11
Форм фактор VLP (very low profile)
Напряжение питания 1.35 В (LV DDR3), 1.5 В (DDR3)..
Технические характеристики
Тип памяти DDR3L
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Объем 4 модуля по 16 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) да
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS La..
Технические характеристики
Тип памяти DDR3L
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Объем 4 модуля по 16 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) да
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS La..
Технические характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Объем 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency..
Технические характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Объем 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency..
Оперативная память Kingston KVR16R11S4/8
Серия ValueRAM
Модель KVR16R11S4/8
Объем модуля памяти 8 Гб
Количество модулей в комплекте 1
Тип оборудования Модуль памяти Registered DDR3
Частота функционирования до 1600 МГц
Стандарт памяти ..
Оперативная память Kingston KVR16R11S4/8
Серия ValueRAM
Модель KVR16R11S4/8
Объем модуля памяти 8 Гб
Количество модулей в комплекте 1
Тип оборудования Модуль памяти Registered DDR3
Частота функционирования до 1600 МГц
Стандарт памяти ..
Оперативная память Kingston KVR16R11S4/8I
Объем модуля 8 Гб
Тип модуля DDR3 Registered
Частота работы 1600 МГц
Ранги Single rank
Тайминги 11-11-11
Напряжение питания 1.5 В..
Оперативная память Kingston KVR16R11S4/8I
Объем модуля 8 Гб
Тип модуля DDR3 Registered
Частота работы 1600 МГц
Ранги Single rank
Тайминги 11-11-11
Напряжение питания 1.5 В..
Оперативная память Kingston KVR21R15S4/8
Объем модуля 8 Гб
Тип памяти Registered DDR4
Частота функционирования до 2133 МГц
Стандарт памяти PC4-17000 (DDR4 2133 МГц)
Латентность CL15
Ранги Single rank
Напряжение питания 1.2 В..
Оперативная память Kingston KVR21R15S4/8
Объем модуля 8 Гб
Тип памяти Registered DDR4
Частота функционирования до 2133 МГц
Стандарт памяти PC4-17000 (DDR4 2133 МГц)
Латентность CL15
Ранги Single rank
Напряжение питания 1.2 В..
модуль памяти DDR4
объем модуля 64 Гб
форм-фактор LRDIMM, 288-контактный
частота 2400 МГц
поддержка ECC
CAS Latency (CL): 17
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 17
RAS to CAS Delay (tRCD) 17
Row Precharge Delay (tRP) 17
Количество чипо..
модуль памяти DDR4
объем модуля 64 Гб
форм-фактор LRDIMM, 288-контактный
частота 2400 МГц
поддержка ECC
CAS Latency (CL): 17
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 17
RAS to CAS Delay (tRCD) 17
Row Precharge Delay (tRP) 17
Количество чипо..