Оперативная память Samsung 8GB DDR3-1333 RDIMM PC3L-10600R, M393B1K70CH0-YH9
Объем модуля 8 Гб
Тип памяти DDR3 Registered
Частота работы 1333 МГц
Ранги 2R x 4
Напряжение питания 1.5 V / 1.35 V..
Оперативная память Samsung 8GB DDR3-1600 RDIMM PC3L-12800R, M393B
Объем модуля 8 Гб
Тип памяти DDR3 Registered
Частота работы 1600 МГц
Ранги 2Rx4
Напряжение питания 1.5 V / 1.35 V..
Оперативная память Samsung 8GB DDR3-1600, M391B1G73QH0-YK0
Объем модуля 8 Гб
Тип памяти DDR3 UDIMM
Частота работы 1600 МГц
Ранги 2Rx8
Напряжение питания 1.5 V / 1.35 V..
Оперативная память Samsung 8GB PC3L-10600R DDR3-1333, M393B1K70DH0-YH9
Технические характеристики
STORAGE CAPACITY 8GB
MEMORY TECHNOLOGY DDR3 SDRAM
NUMBER OF MODULES 1 X 8GB
BUS SPEED 1333MHZ DDR3-1333/PC3-10600
DATA INTEGRITY CHECK ECC
SIGNAL PROCES..
Оперативная память Samsung DDR3 1866 Registered ECC DIMM 16Gb, M393B2G70QH0-CMA
Технические характеристики
MANUFACTURER SAMSUNG
PART NUMBER M393B2G70QH0-CMA
COMPONENT DENSITY 16GB
PRODUCT BUS TYPE PC3-14900R
COMPONENT SPEED DDR3-1866
REGISTERED / UNB..
Оперативная память Samsung DDR4 16GB, M393A2K40XXX-CTD
Объем памяти 16GB
Тип памяти DDR4 RDIMM
Тактовая частота 2666 МГц
Пропускная способность 21300 Мб/с
Напряжение питания 1.2 В
Латентность CL19..
Оперативная память Samsung DDR4 M386A4K40BB0-CRC4Q
STORAGE CAPACITY 32GB
MEMORY TECHNOLOGY DDR4 SDRAM
NUMBER OF MODULES 1 X 32GB
BUS SPEED 2400MHZ DDR4-2400/PC4-19200
DATA INTEGRITY CHECK ECC
SIGNAL PROCESSING REGISTERED
CAS LATENCY TIMINGS CL17
RANK..
Оперативная память Samsung M393B1K70CH0-CF8
Объем модуля 8GB
Тип памяти DDR3 Registered
Ранги 2R x 4
Частота работы 1066Mhz
Напряжение питания 1.5 V / 1.35 V..
Оперативная память Samsung SAMSUNG 8GB DDR3-1866, M393B1K70DH0-CMA
Технические характеристики
Manufacturer Samsung
Manufacturer Reference M393B1K70DH0-CMA
Capacity 8GB
Name PC3-14900R
Short Form 8GB(2Rx4)
Type 240Pin
Construction Type DIM..