0Р
Оформить заказ
- Парт. номер: KVR13LR9Q4/32
- Артикул: 32100
- Наличие: уточняйте у менеджеров
- Срок доставки под заказ: 3 - 5 недель
- Гарантия 1 год
34 291Р
с учетом НДС
Информация на сайте ни при каких условиях не является публичной офертой, определяемой положениями статьи 437(2) ГК РФ.
Рекомендуем при покупке проверять наличие желаемых функций и характеристик. Описание, технические характеристики, комплектация и внешний вид продукта могут отличаться от заявленных или могут быть изменены производителем без предупреждения.
Рекомендуем при покупке проверять наличие желаемых функций и характеристик. Описание, технические характеристики, комплектация и внешний вид продукта могут отличаться от заявленных или могут быть изменены производителем без предупреждения.
Технические характеристики
Тип памяти DDR3L
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Объем 1 модуль 32 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) да
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 9
RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Row Precharge Delay (tRP) 9
Количество чипов каждого модуля 36, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.35 В
Количество ранков 4
Тип памяти DDR3L
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Объем 1 модуль 32 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) да
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 9
RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Row Precharge Delay (tRP) 9
Количество чипов каждого модуля 36, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.35 В
Количество ранков 4
Характеристики
Базовая единица
шт
Производитель
Samsung