Оперативная память 16GB Samsung DDR4-2133MHz ECC Reg CL15, 1.2V, M393A2G40EB1-CPB0Q
Технические характеристики
STORAGE CAPACITY 16GB
MEMORY TECHNOLOGY DDR4 SDRAM
NUMBER OF MODULES 1 X 16GB
BUS SPEED 2133MHZ DDR4-2133/PC4-17000
DATA INTEGRITY CHECK EC..
Оперативная память 4GB 1333 DR, S26361-F3335-E515
Технические характеристики
Product Type RAM memory
Capacity 4 GB
Memory Type DDR3 SDRAM - DIMM 240-pin
Upgrade Type System specific
Data Integrity Check ECC
Speed 1333 MHz (PC3-10600)
Features..
модуля памяти DDR3L
объем модуля 8 Гб
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
поддержка ECC
CAS Latency (CL): 11
Технические характеристики
Тип памяти DDR3L
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12..
Оперативная память Crucial 16GB DDR4 DIMM ECC Reg, CT16G4RFS4266
Объем модуля 16 Гб
Тип памяти DDR4 Registered
Частота работы 2666 МГц
Латентность CL19
Ранги Single rank
Напряжение питания 1.2 В..
Технические характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор LRDIMM 240-контактный
Тактовая частота 1866 МГц
Пропускная способность 14900 Мб/с
Объем 1 модуль 32 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) да
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Late..
Оперативная память Fujitsu S26361-F3781-L515
Объем модуля 8 Гб
Тип памяти DDR3 Registered
Частота работы 1600 МГц
Ранги 1Rx4
Напряжение питания 1.35v..
модуль памяти DDR3
объем модуля 8 Гб
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
поддержка ECC
CAS Latency (CL): 11
Технические характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 1280..
Оперативная память Huawei DDR4 RDIMM Memory,16GB,2666MT/s,2Rank(1G*8bit),1.2V,ECC
Объем модуля 16 Гб
Тип памяти DDR4 Registered
Частота работы 2666 МГц
Ранги 2Rx
Напряжение питания 1.2v..
Оперативная память Huawei DDR4 RDIMM Memory,32GB,2666MT/s,2Rank(2G*4bit),1.2V,ECC
Объем модуля 32 Гб
Тип памяти DDR4 Registred
Частота работы 2666 МГц
Ранги 2Rx
Напряжение питания 1.2..
Оперативная память Hynix 8GB DDR3, HMT31GR7CFR4C-PB
Объем модуля 8GB
Тип памяти DDR3 Registered
Ранги 2
Частота работы 1600 Mhz
Напряжение работы 1.5V..
Оперативная память Hynix DDR2-800 1024MB PC2-6400, HYMP112U64CP8-S6
Объем модуля памяти 1Гб
Частота функционирования 800МГц
Латентность CL5
Тип памяти DDR2..
Оперативная память Hynix GB 1333MHz ECC
MEMORY SIZE 8GB
MEMORY TECHNOLOGY DDR3 SDRAM
NUMBER OF MODULES 1 X 8GB
MEMORY SPEED 1333 MHZ
MEMORY STANDARD DDR3-1333/PC3L-10600R
SIGNAL PROCESSING REGISTERED
RANK FEATURES DUAL RANK X4
ERROR CHECKING ECC
CAS ..